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东芝推出全绝缘封装的中高压MOSFET

来源:绝缘材料资讯网   时间:2014-06-19   阅读量:260

  东芝公司日前推出具有中/高压、全绝缘封装的功率MOSFET场效应管TO-220SIS系列,与该公司上一代产品相比TO-220SIS可通过更快的关断时间以实现高速开关功能。该系列产品采用无铅材料制造,使安装高度降低至2.8mm,主要适用于AC/DC电源及镇流器照明应用。

  TO-220SIS采用了该公司的Pi-MOS VI(500V-600V器件专用)和Pi-MOS IV(900V器件专用)技术。通过专门的芯片设计,500V-600V MOSFET管比传统产品的开关速度提高了约10%,900V MOSFET管的开关速度则提高了约15%。

  TO220-SIS MOSFET管样品的单价为30美分。

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关键字: 绝缘

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