PVT工艺简介
PVT工艺是通过物理升华现象在籽晶上生长晶体的方法，起源于Lely法并逐渐发展成为碳化硅单晶生长的标准方法。其独特的工艺流程使得多晶碳化硅在高温（1,800–2,600℃）和低压真空环境中升华，通过自然传输机制在籽晶上生成结晶。相较于CVD方法，PVT工艺不涉及工艺气的化学反应，使得生产的晶体具有卓越的性能。
（图片来源于PVA TePla公司官网https://www.pvatepla.com.cn/)
工艺流程
PVT工艺的核心在于将多晶碳化硅源材料在极端条件下升华，然后通过自然传输机制在籽晶上形成结晶。硅和碳颗粒在惰性气体的气氛中输送到籽晶，通过过饱和状态形成结晶。籽晶通常位于坩埚的顶部，以避免颗粒掉落造成污染。由于PVT工艺生产的晶体具有卓越的性能，因此在半导体和微电子领域得到广泛应用。
应用领域
PVA TePla CGS旗下的SICma系统专为半导体行业和研发领域通过物理气象传输（PVT)方式生产碳化硅晶体而设计。该系统不仅具备高度的自动化和可控性，还以极高的稳定性和可靠性为特点。采用最新技术和设计原理，系统紧凑设计且高度自动化，可最大化生产规模。由于半导体和微电子领域对高质量单晶材料的需求不断增加，PVT系列系统成为首选的生产设备之一。
PVT系统采用严格的质量控制工艺，确保每个生产步骤都得到精细的控制和监测，从而降低生产过程中的风险。系统还支持根据客户需求进行定制，包括籽晶片尺寸的选择，满足不同客户的特定要求。这种灵活性不仅为客户提供更多选择和可能性，同时也提高了客户的满意度和信任度。
（图片来源于PVA TePla公司官网)
PVA TePla公司在PVT领域的贡献
PVA TePla公司在PVT领域的研究和生产中发挥了积极作用，特别是通过其SiCma产品组。公司专注于SiC单晶的生产与研究，致力于十多年来将其打造成符合商业标准、成功应用于PVT系统的材料之一。在科学和工业领域的客户中，公司的PVT系统屡次展现了卓越实力。通过深入与合作伙伴的合作和持续的技术开发，PVA TePla公司（https://www.pvatepla.com.cn/technologies/overview-crystal-growing-systems/physical-vapor-transport/）确保其系统始终满足当前SiC行业的严格要求。PVT系统的高度自动化、紧凑设计和灵活性使其成为当前半导体行业和研发机构追求的生产设备之一。
