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ARM将用20nm工艺 电池续航能力提高25%

来源:硬派网   时间:2013-07-09   阅读量:260

  近日,TSMC(台积电)和GlobalFoundries宣布有望在2014年拥有20nm的移动芯片生产能力。目前28nm工艺芯片频率已经到达2.3GHz的极限,今年上市的骁龙800和Tegra 4i都停止在了这个极限频率上。

  要想打破这个极限,就必须采用更先进的20nm工艺。台积电称使用20nm工艺的晶体管密度是原来的1.9倍,性能提升30%但是功耗却降低了25%。这样的话ARM的SoC将能达到3.0GHz频率,图形芯片将拥有更多的晶体管。而且功耗降低25%同时也可看做电池续航能力提高了25%,电池续航能力差一直是智能手机的最大问题,消费者希望看到20nm工艺的到来。

  这将使ARM联盟更具竞争力,以此来面对来自Intel和AMD的x86芯片的威胁。但Intel也在不断进步,如果进展顺利的话,2014年底Intel将拥有14nm的Atom处理器。GlobalFoundries承诺在2014年也采用14nm工艺,这样AMD同样能拥有14nm的芯片。届时我们将有望在2014年跨入全民14nm时代。

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关键字: 能力 , 电池 , 续航

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